姓名：季小红　 　性别：女　　出生年月：1972年
　　职称：副教授　　学院：材料科学与工程学院 　最后学历：博士
　　主要研究方向：电子材料,宽禁带半导体材料,稀磁半导体

　　季小红，1972年出生于江苏南通。先后在桂林工学院、上海大学、新加坡南洋理工大学获学士、硕士和博士学位。2006年至2007年在新加坡南洋理工大学电子与电气工程学院任副研究员(Research associate)，研究员(Research fellow)。2008年12月华南理工大学“百人计划”“杰出青年教师”岗位引进人才。在Adv. Funct. Mater.，Appl. Phys. Lett.，J. Appl. Phys., J Phys. D等国际期刊上发表论文20篇，文章被他人引用近130次。

　　科研项目：
　　1. 教育部留学回国人员科研启动基金（2008年）
　　2. 教育部博士点基金新教师类项目（20090172120014）
　　3. 广东省自然科学博士启动基金（9451064101002440）
　　
　　部分发表论文:
　　1. X. H. Ji, Q. Y. Zhang, Z. Y. Ling，S. P. Lau, Stress and its effect on optical properties of AlN nanorods，Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 233105.
　　2. X. H. Ji, Q. Y. Zhang, S. P. Lau, H. X. Jiang and J. Y. Lin, Temperature-dependent photoluminescence and electron field emission properties of AlN nanotip arrays, Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 173706.
　　3. X. H. Ji, S. P. Lau, S. F. Yu, H. Y. Yang, T. S. Herng , A. Sedhain, J. Y. Lin, H. X. Jiang, K. S. Teng, J. S. Chen, Ultraviolet photoluminescence from ferromagnetic Fe-doped AlN nanorods, Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 193118. Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 15 (20) (2007).
　　4. X. H. Ji, S. P. Lau, S. F. Yu, H. Y. Yang, and T. S. Herng , Ferromagnetic Cu-doped AlN nanorods, Nanotechnology 18 (2007) 105601.
　　5. X. H. Ji, S. P. Lau, H. Y. Yang and S. F. Yu, Aligned InN nanofingers prepared by ion-beam assisted filtered cathodic vacuum arc, Nanotechnology 16 (2005) 3069.
　　6. X. H. Ji, S. P. Lau, H. Y. Yang and Q. Y. Zhang, Structural and optical properties of wurtzite InN grown on Si(111), Thin Solid Fims 515 (2007) 4619.
　　7. X. H. Ji and S. P. Lau, Polycrystalline InN thin films prepared by ion beam assisted filtered cathodic vacuum arc technique, J. Cryst. Growth 282 (2005) 271.
　　8. X. H. Ji, S. P. Lau, G. Q. Yu, W. H. Zhong and B. K. Tay, Structural properties and nanoindentation of AlN films by filtered cathodic vacuum arc at low temperature, J. Phys. D: Appl. Phys. 37 (2004) 1472.
　　9. X. H. Ji, S. P. Lau, G. Q. Yu, W. H. Zhong and B. K. Tay, Nitrogen-ion-energy dependent optical and structural properties of AlN films obtained using a filtered cathodic vacuum arc, J. Phys. D: Appl. Phys. 36 (2003) 2543.
　　10. X. H. Ji, and J. W. Zhai, Growth of GaN films on Si(100) buffered with ZnO by ion-beam-assisted filtered cathodic vacuum arc technique, J. Electron. Mater. 37 (2008) 573.
 

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